Справочник MOSFET. IRLIZ14A

 

IRLIZ14A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLIZ14A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для IRLIZ14A

 

 

IRLIZ14A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  1
 irlw14a irliz14a.pdf

IRLIZ14A IRLIZ14A

 7.1. Size:1073K  international rectifier
 irliz14gpbf.pdf

IRLIZ14A IRLIZ14A

PD- 95655IRLIZ14GPbF Lead-Free7/26/04Document Number: 91315 www.vishay.com1IRLIZ14GPbFDocument Number: 91315 www.vishay.com2IRLIZ14GPbFDocument Number: 91315 www.vishay.com3IRLIZ14GPbFDocument Number: 91315 www.vishay.com4IRLIZ14GPbFDocument Number: 91315 www.vishay.com5IRLIZ14GPbFDocument Number: 91315 www.vishay.com6IRLIZ14GPbFPeak Diode Re

 7.2. Size:171K  international rectifier
 irliz14g.pdf

IRLIZ14A IRLIZ14A

 7.3. Size:1637K  vishay
 irliz14g sihliz14g.pdf

IRLIZ14A IRLIZ14A

IRLIZ14G, SiHLIZ14GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.20f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 8.4 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 3.5 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 6.

 7.4. Size:1638K  vishay
 irliz14gpbf sihliz14g.pdf

IRLIZ14A IRLIZ14A

IRLIZ14G, SiHLIZ14GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.20f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 8.4 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 3.5 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 6.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top