Справочник MOSFET. IRLIZ14A

 

IRLIZ14A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLIZ14A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IRLIZ14A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLIZ14A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  1
 irlw14a irliz14a.pdf pdf_icon

IRLIZ14A

 7.1. Size:1073K  international rectifier
 irliz14gpbf.pdf pdf_icon

IRLIZ14A

PD- 95655IRLIZ14GPbF Lead-Free7/26/04Document Number: 91315 www.vishay.com1IRLIZ14GPbFDocument Number: 91315 www.vishay.com2IRLIZ14GPbFDocument Number: 91315 www.vishay.com3IRLIZ14GPbFDocument Number: 91315 www.vishay.com4IRLIZ14GPbFDocument Number: 91315 www.vishay.com5IRLIZ14GPbFDocument Number: 91315 www.vishay.com6IRLIZ14GPbFPeak Diode Re

 7.2. Size:171K  international rectifier
 irliz14g.pdf pdf_icon

IRLIZ14A

 7.3. Size:1637K  vishay
 irliz14g sihliz14g.pdf pdf_icon

IRLIZ14A

IRLIZ14G, SiHLIZ14GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.20f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 8.4 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 3.5 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 6.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRLI540N , IRLI610A , IRLI620A , IRLI620G , IRLI630A , IRLI630G , IRLI640A , IRLI640G , 10N60 , IRLIZ14G , IRLIZ24A , IRLIZ24G , IRLIZ24N , IRLIZ34A , IRLIZ34G , IRLIZ34N , IRLIZ44A .

History: IPW60R160P6 | SP2106 | NTF5P03T3

 

 
Back to Top

 


 
.