IRLIZ34A Todos los transistores

 

IRLIZ34A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLIZ34A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 334 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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IRLIZ34A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  1
irliz34a irlw34a.pdf pdf_icon

IRLIZ34A

 7.1. Size:1006K  international rectifier
irliz34gpbf.pdf pdf_icon

IRLIZ34A

PD- 95656IRLIZ34GPbF Lead-Free7/26/04Document Number: 91317 www.vishay.com1IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com2IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com3IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com4IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com5IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com6IRLIZ34GPbFPeak Diode Re

 7.2. Size:105K  international rectifier
irliz34n.pdf pdf_icon

IRLIZ34A

PD - 9.1329BIRLIZ34NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS RDS(on) = 0.035 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmG Fully Avalanche RatedID = 22ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelow

 7.3. Size:258K  international rectifier
irliz34npbf.pdf pdf_icon

IRLIZ34A

PD - 95455IRLIZ34NPbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Advanced Process TechnologyDl Isolated PackageVDSS = 55Vl High Voltage Isolation = 2.5KVRMS l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmRDS(on) = 0.035l Fully Avalanche Rated Gl Lead-FreeID = 22ADescription SFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing technique

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History: 3N325A

 

 
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