Справочник MOSFET. IRLIZ34A

 

IRLIZ34A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLIZ34A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 334 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IRLIZ34A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLIZ34A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  1
irliz34a irlw34a.pdfpdf_icon

IRLIZ34A

 7.1. Size:1006K  international rectifier
irliz34gpbf.pdfpdf_icon

IRLIZ34A

PD- 95656IRLIZ34GPbF Lead-Free7/26/04Document Number: 91317 www.vishay.com1IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com2IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com3IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com4IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com5IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com6IRLIZ34GPbFPeak Diode Re

 7.2. Size:105K  international rectifier
irliz34n.pdfpdf_icon

IRLIZ34A

PD - 9.1329BIRLIZ34NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS RDS(on) = 0.035 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmG Fully Avalanche RatedID = 22ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelow

 7.3. Size:258K  international rectifier
irliz34npbf.pdfpdf_icon

IRLIZ34A

PD - 95455IRLIZ34NPbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Advanced Process TechnologyDl Isolated PackageVDSS = 55Vl High Voltage Isolation = 2.5KVRMS l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmRDS(on) = 0.035l Fully Avalanche Rated Gl Lead-FreeID = 22ADescription SFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing technique

Другие MOSFET... IRLI630G , IRLI640A , IRLI640G , IRLIZ14A , IRLIZ14G , IRLIZ24A , IRLIZ24G , IRLIZ24N , IRFB4110 , IRLIZ34G , IRLIZ34N , IRLIZ44A , IRLIZ44G , IRLIZ44N , IRLL014 , IRLL014N , IRLL024N .

History: 3N325A

 

 
Back to Top

 


 
.