FSS275 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSS275

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de FSS275 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FSS275 datasheet

 0.1. Size:46K  sanyo
 fss275-tl-e.pdf pdf_icon

FSS275

Ordering number ENA0732 FSS275 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device FSS275 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 60 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID 6 A Drai

 9.1. Size:35K  sanyo
 fss273-tl-e.pdf pdf_icon

FSS275

Ordering number ENA0329 FSS273 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device FSS273 Applications Features Motor drive applications. Inverter drive applications. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 45 V Gate-to-Source Voltage VGS

Otros transistores... FS70VS-06, FS70VS-2, FS70VSJ-06F, FS70VSJ-2, FS7KM-12A, FS7VS-12A, FSS264, FSS273, IRFB4110, FSS804, FTCO3V455A1, FTD2011, FTD2019, FTK3341L, FTK3857L, FTK3857T, FTK50N06