FSS275. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSS275

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для FSS275

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSS275 даташит

 0.1. Size:46K  sanyo
 fss275-tl-e.pdf pdf_icon

FSS275

Ordering number ENA0732 FSS275 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device FSS275 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 60 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID 6 A Drai

 9.1. Size:35K  sanyo
 fss273-tl-e.pdf pdf_icon

FSS275

Ordering number ENA0329 FSS273 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device FSS273 Applications Features Motor drive applications. Inverter drive applications. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 45 V Gate-to-Source Voltage VGS

Другие IGBT... FS70VS-06, FS70VS-2, FS70VSJ-06F, FS70VSJ-2, FS7KM-12A, FS7VS-12A, FSS264, FSS273, IRFB4110, FSS804, FTCO3V455A1, FTD2011, FTD2019, FTK3341L, FTK3857L, FTK3857T, FTK50N06