Справочник MOSFET. FSS275

 

FSS275 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSS275
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для FSS275

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSS275 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:46K  sanyo
 fss275-tl-e.pdf pdf_icon

FSS275

Ordering number : ENA0732 FSS275SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFSS275ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 60 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID 6 ADrai

 9.1. Size:35K  sanyo
 fss273-tl-e.pdf pdf_icon

FSS275

Ordering number : ENA0329 FSS273SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceFSS273ApplicationsFeatures Motor drive applications. Inverter drive applications. 4V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 45 VGate-to-Source Voltage VGS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HFD1N60SA | HFA24N50G

 

 
Back to Top

 


 
.