FTD2019 Todos los transistores

 

FTD2019 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTD2019
   Código: 2019
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de FTD2019 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FTD2019 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  sanyo
 ftd2019.pdf pdf_icon

FTD2019

Ordering number:ENN6383N-Channel Silicon MOSFETFTD2019Load Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 2.5V drive.2155A Mounting height 1.1mm.[FTD2019] Composite type, facilitating high-density mounting.3.0 0.4250.658 51 : Drain12 : Source11 4 3 : Source10.1254 : Gate10.255 : Gate26 : Source27 : Source28

 ..2. Size:76K  kexin
 ftd2019.pdf pdf_icon

FTD2019

SMD Type TransistorsDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFTD2019TSSOP-8 FeaturesUnit: mm RDS(ON)=28m Max. @VGS=4V RDS(ON)=35m Max. @VGS=2.5V1 : Drain12 : Source13 : Source14 : Gate1D1 D25 : Gate2S2S16 : Source2S2S17 : Source2G2D1 8 : Drain2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDS 30

 8.1. Size:41K  sanyo
 ftd2014.pdf pdf_icon

FTD2019

Ordering number:ENN6267N-Channel Silicon MOSFETFTD2014Load Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 2.5V drive.2155A Mounting height 1.1mm.[FTD2014] Composite type, facilitating high-density mounting.3.0 0.4250.658 51 : Drain12 : Source11 43 : Source10.1254 : Gate10.255 : Gate26 : Source27 : Source2

 8.2. Size:42K  sanyo
 ftd2017.pdf pdf_icon

FTD2019

Ordering number:ENN6361N-Channel Silicon MOSFETFTD2017Load Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 2.5V drive.2155A Mounting height 1.1mm.[FTD2017] Composite type, facilitating high-density mounting.3.0 0.4250.658 51 : Drain12 : Source11 4 3 : Source10.1254 : Gate10.255 : Gate26 : Source27 : Source28

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.