Справочник MOSFET. FTD2019

 

FTD2019 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTD2019
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для FTD2019

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTD2019 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  sanyo
 ftd2019.pdf pdf_icon

FTD2019

Ordering number:ENN6383N-Channel Silicon MOSFETFTD2019Load Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 2.5V drive.2155A Mounting height 1.1mm.[FTD2019] Composite type, facilitating high-density mounting.3.0 0.4250.658 51 : Drain12 : Source11 4 3 : Source10.1254 : Gate10.255 : Gate26 : Source27 : Source28

 ..2. Size:76K  kexin
 ftd2019.pdf pdf_icon

FTD2019

SMD Type TransistorsDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFTD2019TSSOP-8 FeaturesUnit: mm RDS(ON)=28m Max. @VGS=4V RDS(ON)=35m Max. @VGS=2.5V1 : Drain12 : Source13 : Source14 : Gate1D1 D25 : Gate2S2S16 : Source2S2S17 : Source2G2D1 8 : Drain2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDS 30

 8.1. Size:41K  sanyo
 ftd2014.pdf pdf_icon

FTD2019

Ordering number:ENN6267N-Channel Silicon MOSFETFTD2014Load Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 2.5V drive.2155A Mounting height 1.1mm.[FTD2014] Composite type, facilitating high-density mounting.3.0 0.4250.658 51 : Drain12 : Source11 43 : Source10.1254 : Gate10.255 : Gate26 : Source27 : Source2

 8.2. Size:42K  sanyo
 ftd2017.pdf pdf_icon

FTD2019

Ordering number:ENN6361N-Channel Silicon MOSFETFTD2017Load Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm 2.5V drive.2155A Mounting height 1.1mm.[FTD2017] Composite type, facilitating high-density mounting.3.0 0.4250.658 51 : Drain12 : Source11 4 3 : Source10.1254 : Gate10.255 : Gate26 : Source27 : Source28

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FS7KM-12A , FS7VS-12A , FSS264 , FSS273 , FSS275 , FSS804 , FTCO3V455A1 , FTD2011 , AON6414A , FTK3341L , FTK3857L , FTK3857T , FTK50N06 , FTK630 , FTK830 , FTK840 , FW217A .

History: CM12N65AF | FRS244R | IRF7853 | AOTF20C60 | IPP100N06S3L-04 | FW297

 

 
Back to Top

 


 
.