FTK630 Todos los transistores

 

FTK630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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FTK630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  first silicon
 ftk630 ftk630p f.pdf pdf_icon

FTK630

SEMICONDUCTORFTK630P / FTECHNICAL DATAMOSFET9A, 200V, 0.4 , N-CHANNELPOWER MOSFETSP :1DESCRIPTIONTO-220The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETis designed for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.F :1TO-220FFEATURES* 9A, 200V, Low RDS(ON

Otros transistores... FSS804 , FTCO3V455A1 , FTD2011 , FTD2019 , FTK3341L , FTK3857L , FTK3857T , FTK50N06 , IRFP250N , FTK830 , FTK840 , FW217A , FW297 , FW344A , FW389 , FW4604 , FX20ASJ-03F .

History: IXFK230N20T

 

 
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