Справочник MOSFET. FTK630

 

FTK630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FTK630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  first silicon
 ftk630 ftk630p f.pdf pdf_icon

FTK630

SEMICONDUCTORFTK630P / FTECHNICAL DATAMOSFET9A, 200V, 0.4 , N-CHANNELPOWER MOSFETSP :1DESCRIPTIONTO-220The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETis designed for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.F :1TO-220FFEATURES* 9A, 200V, Low RDS(ON

Другие MOSFET... FSS804 , FTCO3V455A1 , FTD2011 , FTD2019 , FTK3341L , FTK3857L , FTK3857T , FTK50N06 , IRF9540 , FTK830 , FTK840 , FW217A , FW297 , FW344A , FW389 , FW4604 , FX20ASJ-03F .

History: CM4N65C | HUF75345P3 | BUZ901P | SSM3J13T | KDD3680 | FDS5351

 

 
Back to Top

 


 
.