FTK630. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK630

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FTK630

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK630 даташит

 ..1. Size:379K  first silicon
 ftk630 ftk630p f.pdf pdf_icon

FTK630

SEMICONDUCTOR FTK630P / F TECHNICAL DATA MOSFET 9A, 200V, 0.4 , N-CHANNEL POWER MOSFETS P 1 DESCRIPTION TO-220 The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. F 1 TO-220F FEATURES * 9A, 200V, Low RDS(ON

Другие IGBT... FSS804, FTCO3V455A1, FTD2011, FTD2019, FTK3341L, FTK3857L, FTK3857T, FTK50N06, 2N7000, FTK830, FTK840, FW217A, FW297, FW344A, FW389, FW4604, FX20ASJ-03F