FTK830 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTK830
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 93 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 27 nC
Tiempo de subida (tr): 50 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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FTK830 Datasheet (PDF)
..1. Size:262K first silicon
ftk830 ftk830p f d i.pdf
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SEMICONDUCTORFTK830P / F / D / ITECHNICAL DATAPower MOSFET5A, 500V, 1.5 ,N-CHANNEL POWER MOSFETI :1TO - 251DESCRIPTIOND :1The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETTO - 252is designed for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.P :1TO - 220
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