FTK830 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTK830

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-220

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FTK830 datasheet

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FTK830

SEMICONDUCTOR FTK830P / F / D / I TECHNICAL DATA Power MOSFET 5A, 500V, 1.5 , N-CHANNEL POWER MOSFET I 1 TO - 251 DESCRIPTION D 1 The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET TO - 252 is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. P 1 TO - 220

Otros transistores... FTCO3V455A1, FTD2011, FTD2019, FTK3341L, FTK3857L, FTK3857T, FTK50N06, FTK630, P55NF06, FTK840, FW217A, FW297, FW344A, FW389, FW4604, FX20ASJ-03F, FX20ASJ-06