FTK830 Todos los transistores

 

FTK830 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK830
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de FTK830 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FTK830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  first silicon
 ftk830 ftk830p f d i.pdf pdf_icon

FTK830

SEMICONDUCTORFTK830P / F / D / ITECHNICAL DATAPower MOSFET5A, 500V, 1.5 ,N-CHANNEL POWER MOSFETI :1TO - 251DESCRIPTIOND :1The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETTO - 252is designed for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.P :1TO - 220

Otros transistores... FTCO3V455A1 , FTD2011 , FTD2019 , FTK3341L , FTK3857L , FTK3857T , FTK50N06 , FTK630 , IRFB4115 , FTK840 , FW217A , FW297 , FW344A , FW389 , FW4604 , FX20ASJ-03F , FX20ASJ-06 .

History: R8008ANJ | HFH9N90A | AOTF27S60 | KF13N60N | IPP147N03L

 

 
Back to Top

 


 
.