FTK830. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK830

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FTK830

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK830 даташит

 ..1. Size:262K  first silicon
 ftk830 ftk830p f d i.pdf pdf_icon

FTK830

SEMICONDUCTOR FTK830P / F / D / I TECHNICAL DATA Power MOSFET 5A, 500V, 1.5 , N-CHANNEL POWER MOSFET I 1 TO - 251 DESCRIPTION D 1 The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET TO - 252 is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. P 1 TO - 220

Другие IGBT... FTCO3V455A1, FTD2011, FTD2019, FTK3341L, FTK3857L, FTK3857T, FTK50N06, FTK630, P55NF06, FTK840, FW217A, FW297, FW344A, FW389, FW4604, FX20ASJ-03F, FX20ASJ-06