FTK830 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FTK830
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 93 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 27 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 90 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220
FTK830 Datasheet (PDF)
..1. Size:262K first silicon
ftk830 ftk830p f d i.pdf
ftk830 ftk830p f d i.pdf
SEMICONDUCTORFTK830P / F / D / ITECHNICAL DATAPower MOSFET5A, 500V, 1.5 ,N-CHANNEL POWER MOSFETI :1TO - 251DESCRIPTIOND :1The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETTO - 252is designed for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.P :1TO - 220
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
