FTK830 - аналоги и даташиты транзистора

 

FTK830 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FTK830
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FTK830

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  first silicon
 ftk830 ftk830p f d i.pdf pdf_icon

FTK830

SEMICONDUCTORFTK830P / F / D / ITECHNICAL DATAPower MOSFET5A, 500V, 1.5 ,N-CHANNEL POWER MOSFETI :1TO - 251DESCRIPTIOND :1The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETTO - 252is designed for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.P :1TO - 220

Другие MOSFET... FTCO3V455A1 , FTD2011 , FTD2019 , FTK3341L , FTK3857L , FTK3857T , FTK50N06 , FTK630 , 2SK3878 , FTK840 , FW217A , FW297 , FW344A , FW389 , FW4604 , FX20ASJ-03F , FX20ASJ-06 .

History: FQP5N30 | AM3993P | SIA527DJ | BRCS035N10SHBD | HFT1N60S | AM7410N | FDD3N50NZTM

 

 
Back to Top

 


 
.