FW217A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FW217A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de FW217A MOSFET
FW217A Datasheet (PDF)
fw217a.pdf
Ordering number : EN8994BFW217AN-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com35V, 6A, 39m , Dual SOIC8Features On-state resistance RDS(on)1=30m (typ.) 4.5V drive Halogen free compliance Protection Diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 35 VGate-to-Source Voltage VGS
Otros transistores... FTD2019 , FTK3341L , FTK3857L , FTK3857T , FTK50N06 , FTK630 , FTK830 , FTK840 , 7N65 , FW297 , FW344A , FW389 , FW4604 , FX20ASJ-03F , FX20ASJ-06 , FX20ASJ-2 , FX20KMJ-03 .
History: IRFP443R | IPP042N03L | FQB6N15TM | IXTA6N100D2
History: IRFP443R | IPP042N03L | FQB6N15TM | IXTA6N100D2
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
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