FW217A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FW217A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для FW217A
FW217A Datasheet (PDF)
fw217a.pdf

Ordering number : EN8994BFW217AN-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com35V, 6A, 39m , Dual SOIC8Features On-state resistance RDS(on)1=30m (typ.) 4.5V drive Halogen free compliance Protection Diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 35 VGate-to-Source Voltage VGS
Другие MOSFET... FTD2019 , FTK3341L , FTK3857L , FTK3857T , FTK50N06 , FTK630 , FTK830 , FTK840 , AON7408 , FW297 , FW344A , FW389 , FW4604 , FX20ASJ-03F , FX20ASJ-06 , FX20ASJ-2 , FX20KMJ-03 .
History: UPA2752GR | SIHFI840GLC | FS30KMJ-3
History: UPA2752GR | SIHFI840GLC | FS30KMJ-3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor