Справочник MOSFET. FW217A

 

FW217A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FW217A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для FW217A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FW217A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  onsemi
 fw217a.pdf pdf_icon

FW217A

Ordering number : EN8994BFW217AN-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com35V, 6A, 39m , Dual SOIC8Features On-state resistance RDS(on)1=30m (typ.) 4.5V drive Halogen free compliance Protection Diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 35 VGate-to-Source Voltage VGS

Другие MOSFET... FTD2019 , FTK3341L , FTK3857L , FTK3857T , FTK50N06 , FTK630 , FTK830 , FTK840 , STP75NF75 , FW297 , FW344A , FW389 , FW4604 , FX20ASJ-03F , FX20ASJ-06 , FX20ASJ-2 , FX20KMJ-03 .

History: APT1004R2AN

 

 
Back to Top

 


 
.