FW217A - аналоги и даташиты транзистора

 

FW217A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FW217A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для FW217A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FW217A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  onsemi
 fw217a.pdf pdf_icon

FW217A

Ordering number : EN8994BFW217AN-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com35V, 6A, 39m , Dual SOIC8Features On-state resistance RDS(on)1=30m (typ.) 4.5V drive Halogen free compliance Protection Diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 35 VGate-to-Source Voltage VGS

Другие MOSFET... FTD2019 , FTK3341L , FTK3857L , FTK3857T , FTK50N06 , FTK630 , FTK830 , FTK840 , 7N65 , FW297 , FW344A , FW389 , FW4604 , FX20ASJ-03F , FX20ASJ-06 , FX20ASJ-2 , FX20KMJ-03 .

History: IXTA6N100D2 | IPP042N03L | FQB6N15TM | IRFP443R

 

 
Back to Top

 


 
.