FW217A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FW217A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для FW217A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FW217A даташит

 ..1. Size:268K  onsemi
 fw217a.pdf pdf_icon

FW217A

Ordering number EN8994B FW217A N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 35V, 6A, 39m , Dual SOIC8 Features On-state resistance RDS(on)1=30m (typ.) 4.5V drive Halogen free compliance Protection Diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 35 V Gate-to-Source Voltage VGS

Другие IGBT... FTD2019, FTK3341L, FTK3857L, FTK3857T, FTK50N06, FTK630, FTK830, FTK840, 7N65, FW297, FW344A, FW389, FW4604, FX20ASJ-03F, FX20ASJ-06, FX20ASJ-2, FX20KMJ-03