Справочник MOSFET. FW217A

 

FW217A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FW217A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FW217A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  onsemi
 fw217a.pdf pdf_icon

FW217A

Ordering number : EN8994BFW217AN-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com35V, 6A, 39m , Dual SOIC8Features On-state resistance RDS(on)1=30m (typ.) 4.5V drive Halogen free compliance Protection Diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 35 VGate-to-Source Voltage VGS

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU6099R | STB13NM50N | STP5NB40 | 7NM70L-TF2-T | IRF840I | PMGD130UN | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.