FX70SMJ-03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FX70SMJ-03  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 228 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0123 Ohm

Encapsulados: TO-3P

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de FX70SMJ-03 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FX70SMJ-03 datasheet

 ..1. Size:193K  renesas
 fx70smj-03.pdf pdf_icon

FX70SMJ-03

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Otros transistores... FX6ASJ-03, FX6ASJ-06, FX6ASJ-2, FX6ASJ-3, FX6KMJ-06, FX6KMJ-2, FX6KMJ-3, FX70KMJ-03, IRFP250, FY10AAJ-03F, FY12AAJ-03F, FY14AAJ-03F, FY4ADJ-03A, FY4AEJ-03, FY5ACJ-03F, FY6ACJ-03A, FY7BCH-02F