FX70SMJ-03 Todos los transistores

 

FX70SMJ-03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FX70SMJ-03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 70 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.3 V

Tiempo de elevación (tr): 228 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0123 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3P

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FX70SMJ-03 Datasheet (PDF)

1.1. fx70smj-03.pdf Size:193K _upd-mosfet

FX70SMJ-03
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