Справочник MOSFET. FX70SMJ-03

 

FX70SMJ-03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FX70SMJ-03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 228 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0123 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FX70SMJ-03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  renesas
 fx70smj-03.pdf pdf_icon

FX70SMJ-03

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... FX6ASJ-03 , FX6ASJ-06 , FX6ASJ-2 , FX6ASJ-3 , FX6KMJ-06 , FX6KMJ-2 , FX6KMJ-3 , FX70KMJ-03 , 13N50 , FY10AAJ-03F , FY12AAJ-03F , FY14AAJ-03F , FY4ADJ-03A , FY4AEJ-03 , FY5ACJ-03F , FY6ACJ-03A , FY7BCH-02F .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.