FY14AAJ-03F Todos los transistores

 

FY14AAJ-03F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FY14AAJ-03F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 14 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Carga de compuerta (Qg): 53 nC

Tiempo de elevación (tr): 22 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 750 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0081 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FY14AAJ-03F

 

 

FY14AAJ-03F Datasheet (PDF)

1.1. fy14aaj-03f.pdf Size:181K _upd-mosfet

FY14AAJ-03F
FY14AAJ-03F

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Otros transistores... PT8205 , PT8205A , PT8822 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , IRFBC40 , AO3407 , PT4435 , SM103 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 .

Back to Top

 


FY14AAJ-03F
  FY14AAJ-03F
  FY14AAJ-03F
  FY14AAJ-03F
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: QS8M51 | QS8M13 | QS8M11 | QS8K21 | QS8K2 | QS8K13 | QS8K11 | QS8J5 | QS8J4 | QS8J2 | QS8J13 | QS8J12 | QS8J11 | QS8F2 | QS6U24 |

 

 

Back to Top