Справочник MOSFET. FY14AAJ-03F

 

FY14AAJ-03F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FY14AAJ-03F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 53 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для FY14AAJ-03F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FY14AAJ-03F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  renesas
 fy14aaj-03f.pdf pdf_icon

FY14AAJ-03F

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AOTF5N100 | AOTF4N90 | SIHG14N50D

 

 
Back to Top

 


 
.