IRF8513PBF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF8513PBF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 172 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm

Encapsulados: SO-8

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IRF8513PBF datasheet

 ..1. Size:336K  international rectifier
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IRF8513PBF

PD - 96196 IRF8513PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS ID RDS(on) max l Dual SO-8 MOSFET for POL Converters in Notebook Computers, Servers, Q1 15.5m @VGS = 10V 8.0A 30V Graphics Cards, Game Consoles Q2 12.7m @VGS = 10V 11A and Set-Top Box Benefits l Low Gate Charge and Low RDS(on) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max. Gate Rating l 100% Test

Otros transistores... IRF840B, IRF840LC, IRF840LCLPBF, IRF840LCPBF, IRF840LCSPBF, IRF840LPBF, IRF840PBF, IRF840SPBF, FTP08N06A, IRF8707GPBF, IRF8707PBF, IRF8707PBF-1, IRF8714GPBF, IRF8714PBF, IRF8714PBF-1, IRF8721GPBF, IRF8721PBF