IRF8513PBF Todos los transistores

 

IRF8513PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF8513PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 172 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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Principales características: IRF8513PBF

 ..1. Size:336K  international rectifier
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IRF8513PBF

PD - 96196 IRF8513PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS ID RDS(on) max l Dual SO-8 MOSFET for POL Converters in Notebook Computers, Servers, Q1 15.5m @VGS = 10V 8.0A 30V Graphics Cards, Game Consoles Q2 12.7m @VGS = 10V 11A and Set-Top Box Benefits l Low Gate Charge and Low RDS(on) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max. Gate Rating l 100% Test

Otros transistores... IRF840B , IRF840LC , IRF840LCLPBF , IRF840LCPBF , IRF840LCSPBF , IRF840LPBF , IRF840PBF , IRF840SPBF , IRF830 , IRF8707GPBF , IRF8707PBF , IRF8707PBF-1 , IRF8714GPBF , IRF8714PBF , IRF8714PBF-1 , IRF8721GPBF , IRF8721PBF .

History: IRF8714PBF

 

 
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