Справочник MOSFET. IRF8513PBF

 

IRF8513PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF8513PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.35 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 172 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для IRF8513PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF8513PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  international rectifier
 irf8513pbf.pdf pdf_icon

IRF8513PBF

PD - 96196IRF8513PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS IDRDS(on) maxl Dual SO-8 MOSFET for POLConverters in Notebook Computers, Servers,Q1 15.5m @VGS = 10V 8.0A30VGraphics Cards, Game ConsolesQ2 12.7m @VGS = 10V 11Aand Set-Top BoxBenefitsl Low Gate Charge and Low RDS(on)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Currentl 20V VGS Max. Gate Ratingl 100% Test

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.