IRF8852PBF Todos los transistores

 

IRF8852PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF8852PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0113 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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Principales características: IRF8852PBF

 ..1. Size:296K  international rectifier
 irf8852pbf.pdf pdf_icon

IRF8852PBF

PD - 96246 IRF8852PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max l Dual N-Channel MOSFET Id l Very Small SOIC Package 11.3m @VGS = 10V 7.8A l Low Profile (

Otros transistores... IRF8721GPBF , IRF8721PBF , IRF8721PBF-1 , IRF8734PBF , IRF8736PBF , IRF8736PBF-1 , IRF8788PBF , IRF8788PBF-1 , IRFZ44N , IRF8910GPBF , IRF8910PBF-1 , IRF9130SMD , IRF9130SMD05 , IRF9310PBF , IRF9310PBF-1 , IRF9317PBF , IRF9321PBF .

History: IXFA8N50P3

 

 
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