IRF8852PBF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF8852PBF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0113 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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IRF8852PBF datasheet

 ..1. Size:296K  international rectifier
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IRF8852PBF

PD - 96246 IRF8852PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max l Dual N-Channel MOSFET Id l Very Small SOIC Package 11.3m @VGS = 10V 7.8A l Low Profile (

Otros transistores... IRF8721GPBF, IRF8721PBF, IRF8721PBF-1, IRF8734PBF, IRF8736PBF, IRF8736PBF-1, IRF8788PBF, IRF8788PBF-1, IRF3205, IRF8910GPBF, IRF8910PBF-1, IRF9130SMD, IRF9130SMD05, IRF9310PBF, IRF9310PBF-1, IRF9317PBF, IRF9321PBF