Справочник MOSFET. IRF8852PBF

 

IRF8852PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF8852PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0113 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для IRF8852PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF8852PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  international rectifier
 irf8852pbf.pdf pdf_icon

IRF8852PBF

PD - 96246IRF8852PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) maxl Dual N-Channel MOSFET Id l Very Small SOIC Package11.3m @VGS = 10V7.8Al Low Profile (

Другие MOSFET... IRF8721GPBF , IRF8721PBF , IRF8721PBF-1 , IRF8734PBF , IRF8736PBF , IRF8736PBF-1 , IRF8788PBF , IRF8788PBF-1 , IRFZ44N , IRF8910GPBF , IRF8910PBF-1 , IRF9130SMD , IRF9130SMD05 , IRF9310PBF , IRF9310PBF-1 , IRF9317PBF , IRF9321PBF .

History: FQA13N80-F109 | HFU630 | AOCA32112E

 

 
Back to Top

 


 
.