IRF8852PBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF8852PBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0113 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF8852PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF8852PBF даташит

 ..1. Size:296K  international rectifier
 irf8852pbf.pdf pdf_icon

IRF8852PBF

PD - 96246 IRF8852PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max l Dual N-Channel MOSFET Id l Very Small SOIC Package 11.3m @VGS = 10V 7.8A l Low Profile (

Другие IGBT... IRF8721GPBF, IRF8721PBF, IRF8721PBF-1, IRF8734PBF, IRF8736PBF, IRF8736PBF-1, IRF8788PBF, IRF8788PBF-1, IRF3205, IRF8910GPBF, IRF8910PBF-1, IRF9130SMD, IRF9130SMD05, IRF9310PBF, IRF9310PBF-1, IRF9317PBF, IRF9321PBF