SSH11N90 Todos los transistores

 

SSH11N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSH11N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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SSH11N90 Datasheet (PDF)

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SSH11N90

Otros transistores... IRF9395MPBF , IRF9410PBF , IRF9510SPBF , IRF9520NLPBF , IRF9520S , IRF9520SPBF , IRF9530-220M , SSH10N80 , K3569 , SSH3N90 , SSH4N55 , SSH4N60 , SSH4N80 , SSH4N90 , SSH5N90 , SSH60N08 , SSH6N80 .

History: AP50T10GH-HF | HGA098N10A | VBA3328

 

 
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