SSH11N90 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSH11N90  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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SSH11N90 datasheet

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SSH11N90

Otros transistores... IRF9395MPBF, IRF9410PBF, IRF9510SPBF, IRF9520NLPBF, IRF9520S, IRF9520SPBF, IRF9530-220M, SSH10N80, IRF9540, SSH3N90, SSH4N55, SSH4N60, SSH4N80, SSH4N90, SSH5N90, SSH60N08, SSH6N80