SSH11N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSH11N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de SSH11N90 MOSFET
SSH11N90 Datasheet (PDF)
Otros transistores... IRF9395MPBF , IRF9410PBF , IRF9510SPBF , IRF9520NLPBF , IRF9520S , IRF9520SPBF , IRF9530-220M , SSH10N80 , K3569 , SSH3N90 , SSH4N55 , SSH4N60 , SSH4N80 , SSH4N90 , SSH5N90 , SSH60N08 , SSH6N80 .
History: AP50T10GH-HF | HGA098N10A | VBA3328
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