SSH11N90 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SSH11N90
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
SSH11N90 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... IRF9395MPBF , IRF9410PBF , IRF9510SPBF , IRF9520NLPBF , IRF9520S , IRF9520SPBF , IRF9530-220M , SSH10N80 , IRF9540 , SSH3N90 , SSH4N55 , SSH4N60 , SSH4N80 , SSH4N90 , SSH5N90 , SSH60N08 , SSH6N80 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet


