SSH11N90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSH11N90  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSH11N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH11N90 даташит

 ..1. Size:261K  semelab
 ssh11n90.pdf pdf_icon

SSH11N90

Другие IGBT... IRF9395MPBF, IRF9410PBF, IRF9510SPBF, IRF9520NLPBF, IRF9520S, IRF9520SPBF, IRF9530-220M, SSH10N80, IRF9540, SSH3N90, SSH4N55, SSH4N60, SSH4N80, SSH4N90, SSH5N90, SSH60N08, SSH6N80