Справочник MOSFET. SSH11N90

 

SSH11N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH11N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для SSH11N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH11N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  semelab
ssh11n90.pdfpdf_icon

SSH11N90

Другие MOSFET... IRF9395MPBF , IRF9410PBF , IRF9510SPBF , IRF9520NLPBF , IRF9520S , IRF9520SPBF , IRF9530-220M , SSH10N80 , K3569 , SSH3N90 , SSH4N55 , SSH4N60 , SSH4N80 , SSH4N90 , SSH5N90 , SSH60N08 , SSH6N80 .

History: GSM3432 | 7N80L-TQ2-T | SFB052N80C2 | IRF9530SPBF | RRR015P03 | 2SK3065 | VS4604AT

 

 
Back to Top

 


 
.