IRLM014A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLM014A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm
Encapsulados: SOT223
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IRLM014A datasheet
irlm014a.pdf
IRLM014A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.155 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area SOT-223 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V 2 Lower RDS(ON) 0.122 (Typ.) 1 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol
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History: IXFH26N50Q
History: IXFH26N50Q
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