IRLM014A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLM014A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7.2 nC
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.155 Ohm
Тип корпуса: SOT223
IRLM014A Datasheet (PDF)
..1. Size:223K samsung
irlm014a.pdf
irlm014a.pdf
IRLM014AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.155 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaSOT-223 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V2 Lower RDS(ON) : 0.122 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
