Справочник MOSFET. IRLM014A

 

IRLM014A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLM014A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для IRLM014A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLM014A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  samsung
 irlm014a.pdf pdf_icon

IRLM014A

IRLM014AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.155 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaSOT-223 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V2 Lower RDS(ON) : 0.122 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol

Другие MOSFET... IRLIZ44N , IRLL014 , IRLL014N , IRLL024N , IRLL110 , IRLL2703 , IRLL2705 , IRLL3303 , IRF1010E , IRLM110A , IRLM120A , IRLM210A , IRLM220A , IRLML2402 , IRLML2502 , IRLML2803 , IRLML5103 .

History: JMPL1050AU | PHW7N60E | FRL9130H

 

 
Back to Top

 


 
.