Справочник MOSFET. IRLM014A

 

IRLM014A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLM014A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для IRLM014A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLM014A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  samsung
 irlm014a.pdf pdf_icon

IRLM014A

IRLM014AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.155 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaSOT-223 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V2 Lower RDS(ON) : 0.122 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ZVN4424ASTOA | 2SJ324

 

 
Back to Top

 


 
.