IRLM014A - описание и поиск аналогов

 

IRLM014A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLM014A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для IRLM014A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLM014A даташит

 ..1. Size:223K  samsung
 irlm014a.pdf pdf_icon

IRLM014A

IRLM014A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.155 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area SOT-223 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V 2 Lower RDS(ON) 0.122 (Typ.) 1 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol

Другие MOSFET... IRLIZ44N , IRLL014 , IRLL014N , IRLL024N , IRLL110 , IRLL2703 , IRLL2705 , IRLL3303 , IRF9540N , IRLM110A , IRLM120A , IRLM210A , IRLM220A , IRLML2402 , IRLML2502 , IRLML2803 , IRLML5103 .

History: IXFH14N80

 

 

 

 

↑ Back to Top
.