SSH5N90 Todos los transistores

 

SSH5N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSH5N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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SSH5N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  semelab
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SSH5N90

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SSH5N90

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.9 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 2.300 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.1. Size:258K  1
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SSH5N90

SSH5N80AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.824 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charac

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History: UPA1717G | SIR878ADP

 

 
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