SSH5N90 - аналоги и даташиты транзистора

 

SSH5N90 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSH5N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для SSH5N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH5N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  semelab
 ssh5n90.pdf pdf_icon

SSH5N90

 0.1. Size:934K  samsung
 ssh5n90a.pdf pdf_icon

SSH5N90

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.9 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 2.300 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.1. Size:258K  1
 ssh5n80a.pdf pdf_icon

SSH5N90

SSH5N80AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3P Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.824 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charac

Другие MOSFET... IRF9530-220M , SSH10N80 , SSH11N90 , SSH3N90 , SSH4N55 , SSH4N60 , SSH4N80 , SSH4N90 , 2N7000 , SSH60N08 , SSH6N80 , SSH8N70 , SSH8N80 , SSI2N60B , SSI4N60B , SSM03N70GH , SSM03N70GJ .

 

 
Back to Top

 


 
.