SSH5N90 - аналоги и даташиты транзистора

 

SSH5N90 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSH5N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P

 Аналог (замена) для SSH5N90

 

SSH5N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  semelab
 ssh5n90.pdf pdf_icon

SSH5N90

 0.1. Size:934K  samsung
 ssh5n90a.pdf pdf_icon

SSH5N90

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.9 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 2.300 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 9.1. Size:258K  1
 ssh5n80a.pdf pdf_icon

SSH5N90

SSH5N80A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1.824 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charac

Другие MOSFET... IRF9530-220M , SSH10N80 , SSH11N90 , SSH3N90 , SSH4N55 , SSH4N60 , SSH4N80 , SSH4N90 , IRF4905 , SSH60N08 , SSH6N80 , SSH8N70 , SSH8N80 , SSI2N60B , SSI4N60B , SSM03N70GH , SSM03N70GJ .

 

 
Back to Top

 


 
.