SSH5N90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSH5N90  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSH5N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH5N90 даташит

 ..1. Size:264K  semelab
 ssh5n90.pdf pdf_icon

SSH5N90

 0.1. Size:934K  samsung
 ssh5n90a.pdf pdf_icon

SSH5N90

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.9 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 2.300 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 9.1. Size:258K  1
 ssh5n80a.pdf pdf_icon

SSH5N90

SSH5N80A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1.824 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charac

Другие IGBT... IRF9530-220M, SSH10N80, SSH11N90, SSH3N90, SSH4N55, SSH4N60, SSH4N80, SSH4N90, IRF4905, SSH60N08, SSH6N80, SSH8N70, SSH8N80, SSI2N60B, SSI4N60B, SSM03N70GH, SSM03N70GJ