SSH60N08 Todos los transistores

 

SSH60N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSH60N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 280 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

 Búsqueda de reemplazo de SSH60N08 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SSH60N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  samsung
ssh60n08.pdf pdf_icon

SSH60N08

SSH60N10 PCB24

Otros transistores... SSH10N80 , SSH11N90 , SSH3N90 , SSH4N55 , SSH4N60 , SSH4N80 , SSH4N90 , SSH5N90 , 5N60 , SSH6N80 , SSH8N70 , SSH8N80 , SSI2N60B , SSI4N60B , SSM03N70GH , SSM03N70GJ , SSM03N70GP-H .

History: RQK2501YGDQA | FDS8874 | CHM3413KGP | UTT60P03 | S85N042RP | BSC014N04LSI | DK64N90F

 

 
Back to Top

 


 
.