SSH60N08 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SSH60N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 280 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
SSH60N08 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... SSH10N80 , SSH11N90 , SSH3N90 , SSH4N55 , SSH4N60 , SSH4N80 , SSH4N90 , SSH5N90 , IRLB4132 , SSH6N80 , SSH8N70 , SSH8N80 , SSI2N60B , SSI4N60B , SSM03N70GH , SSM03N70GJ , SSM03N70GP-H .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389


