Справочник MOSFET. SSH60N08

 

SSH60N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH60N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 280 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для SSH60N08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH60N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  samsung
ssh60n08.pdfpdf_icon

SSH60N08

SSH60N10 PCB24

Другие MOSFET... SSH10N80 , SSH11N90 , SSH3N90 , SSH4N55 , SSH4N60 , SSH4N80 , SSH4N90 , SSH5N90 , 5N60 , SSH6N80 , SSH8N70 , SSH8N80 , SSI2N60B , SSI4N60B , SSM03N70GH , SSM03N70GJ , SSM03N70GP-H .

History: TPA70R450C | 12P10L-TMS2-T

 

 
Back to Top

 


 
.