SSH60N08 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSH60N08  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 280 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSH60N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH60N08 даташит

 ..1. Size:402K  samsung
 ssh60n08.pdf pdf_icon

SSH60N08

SSH60N10 PCB 24

Другие IGBT... SSH10N80, SSH11N90, SSH3N90, SSH4N55, SSH4N60, SSH4N80, SSH4N90, SSH5N90, IRLB4132, SSH6N80, SSH8N70, SSH8N80, SSI2N60B, SSI4N60B, SSM03N70GH, SSM03N70GJ, SSM03N70GP-H