SSI4N60B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSI4N60B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: I2-PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSI4N60B
SSI4N60B Datasheet (PDF)
ssi4n60b ssi4n60b ssw4n60b.pdf
November 2001 SSW4N60B / SSI4N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF) This advanced technology has been especially tailored to
Otros transistores... SSH4N80 , SSH4N90 , SSH5N90 , SSH60N08 , SSH6N80 , SSH8N70 , SSH8N80 , SSI2N60B , SPP20N60C3 , SSM03N70GH , SSM03N70GJ , SSM03N70GP-H , SSM04N70BGF-A , SSM04N70BGF-H , SSM04N70BGP-A , SSM09N70GP-A , SSM09N90CGW .
History: SSM03N70GJ | SSH8N80
History: SSM03N70GJ | SSH8N80
Liste
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