SSI4N60B - аналоги и даташиты транзистора

 

SSI4N60B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSI4N60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK
 

 Аналог (замена) для SSI4N60B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSI4N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:644K  fairchild semi
 ssi4n60b ssi4n60b ssw4n60b.pdf pdf_icon

SSI4N60B

November 2001SSW4N60B / SSI4N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:217K  1
 ssi4n60a ssw4n60a.pdf pdf_icon

SSI4N60B

 9.1. Size:181K  1
 ssi4n90as ssw4n90as.pdf pdf_icon

SSI4N60B

 9.2. Size:183K  1
 ssi4n80as ssw4n80as.pdf pdf_icon

SSI4N60B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSH4N80 , SSH4N90 , SSH5N90 , SSH60N08 , SSH6N80 , SSH8N70 , SSH8N80 , SSI2N60B , AON7410 , SSM03N70GH , SSM03N70GJ , SSM03N70GP-H , SSM04N70BGF-A , SSM04N70BGF-H , SSM04N70BGP-A , SSM09N70GP-A , SSM09N90CGW .

History: P0808ATG | AP3908GD | OSG55R380PF | IRFG110 | MTNK5S3 | STD12NM50N | FA57SA50LCP

 

 
Back to Top

 


 
.