SSI4N60B datasheet, аналоги, параметры транзистора

SSI4N60B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSI4N60B 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: I2-PAK

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SSI4N60B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SSI4N60B даташит

..1. Size:644K fairchild semi
ssi4n60b ssi4n60b ssw4n60b.pdf pdf_icon

November 2001 SSW4N60B / SSI4N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF) This advanced technology has been especially tailored to

7.1. Size:217K 1
ssi4n60a ssw4n60a.pdf pdf_icon