SSI4N60B - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SSI4N60B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SSI4N60B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 55 ns
   Выходная емкость (Cd): 65 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK

Аналог (замена) для SSI4N60B

SSI4N60B Datasheet (PDF)

..1. Size:644K fairchild semi
ssi4n60b ssi4n60b ssw4n60b.pdf

November 2001SSW4N60B / SSI4N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF)This advanced technology has been especially tailored to

7.1. Size:217K 1
ssi4n60a ssw4n60a.pdf