SSM03N70GJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM03N70GJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm

Encapsulados: TO-251

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SSM03N70GJ datasheet

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SSM03N70GJ

SSM03N70GH/GJ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY BVDSS 600V D RDS(ON) 3.6 Repetitive Avalanche Rated ID 3.3A Fast Switching Speed G Simple Drive Requirement S DESCRIPTION G D S TO-252(H) The TO-252 package is universally preferred for all commercial- Industrial surface mount applications and suited for AC/DC converters. The through-hole version

 5.1. Size:571K  silicon standard
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SSM03N70GJ

SSM03N70GP-H N-channel Enhancement-mode Power MOSFET PRODUCT SUMMARY DESCRIPTION The SSM03N70GP-H achieves fast switching performance BVDSS 700V with low gate charge without a complex drive circuit. It RDS(ON) 4.4 is suitable for high voltage applications such as AC/DC converters, SMPS and general off-line switching circuits. I 2.5A D Pb-free; RoHS-compliant TO-220 The SSM03N70G

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