Справочник MOSFET. SSM03N70GJ

 

SSM03N70GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM03N70GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM03N70GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  silicon standard
 ssm03n70gh ssm03n70gj.pdf pdf_icon

SSM03N70GJ

SSM03N70GH/GJN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY BVDSS 600VDRDS(ON) 3.6Repetitive Avalanche Rated ID 3.3AFast Switching Speed GSimple Drive Requirement SDESCRIPTION GDS TO-252(H)The TO-252 package is universally preferred for all commercial- Industrial surface mount applications and suited for AC/DC converters. The through-hole version

 5.1. Size:571K  silicon standard
 ssm03n70gp-h.pdf pdf_icon

SSM03N70GJ

SSM03N70GP-HN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM03N70GP-H achieves fast switching performanceBVDSS 700Vwith low gate charge without a complex drive circuit. ItRDS(ON) 4.4is suitable for high voltage applications such as AC/DCconverters, SMPS and general off-line switching circuits.I 2.5AD Pb-free; RoHS-compliant TO-220The SSM03N70G

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP18N20GH-HF | SIHG47N60S | IXFK44N50Q | HGI110N08AL | MSU2N60F | 2SK3434-Z | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.