SSM1333GU Todos los transistores

 

SSM1333GU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM1333GU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323

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SSM1333GU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:534K  silicon standard
 ssm1333gu.pdf pdf_icon

SSM1333GU

SSM1333GU P-channel Enhancement-mode Power MOSFET PRODUCT SUMMARY DESCRIPTION The SSM1333GU acheives fast switching performance BVDSS -20V with low gate charge without a complex drive circuit. It RDS(ON) 600m is suitable for low voltage applications such as drivers, high-side line and general load-switching circuits. I -550mA D The SSM1333GU is supplied in an RoHS-compliant Pb-f

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History: SSM2030SD | SSM04N70BGP-A

 

 
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