SSM1333GU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM1333GU  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: SOT-323

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SSM1333GU datasheet

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SSM1333GU

SSM1333GU P-channel Enhancement-mode Power MOSFET PRODUCT SUMMARY DESCRIPTION The SSM1333GU acheives fast switching performance BVDSS -20V with low gate charge without a complex drive circuit. It RDS(ON) 600m is suitable for low voltage applications such as drivers, high-side line and general load-switching circuits. I -550mA D The SSM1333GU is supplied in an RoHS-compliant Pb-f

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