SSM1333GU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSM1333GU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-323
Búsqueda de reemplazo de SSM1333GU MOSFET
SSM1333GU Datasheet (PDF)
ssm1333gu.pdf

SSM1333GUP-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM1333GU acheives fast switching performanceBVDSS -20Vwith low gate charge without a complex drive circuit. ItRDS(ON) 600mis suitable for low voltage applications such as drivers,high-side line and general load-switching circuits.I -550mAD The SSM1333GU is supplied in an RoHS-compliantPb-f
Otros transistores... SSM03N70GJ , SSM03N70GP-H , SSM04N70BGF-A , SSM04N70BGF-H , SSM04N70BGP-A , SSM09N70GP-A , SSM09N90CGW , SSM09N90GW , AO4407 , SSM2030GM , SSM2030SD , SSM20N03S , SSM20P02GH , SSM20P02GJ , SSM2301GN , SSM2302GN , SSM2303GN .
History: PHD9NQ20T | HM15N10K | HGP098N10A | STC4301D | 7NM65L-TM3-T | BL6N40-D | DMTH6002LPS
History: PHD9NQ20T | HM15N10K | HGP098N10A | STC4301D | 7NM65L-TM3-T | BL6N40-D | DMTH6002LPS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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