SSM1333GU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM1333GU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM1333GU

SSM1333GU Datasheet (PDF)

..1. Size:534K silicon standard
ssm1333gu.pdf

SSM1333GUP-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM1333GU acheives fast switching performanceBVDSS -20Vwith low gate charge without a complex drive circuit. ItRDS(ON) 600mis suitable for low voltage applications such as drivers,high-side line and general load-switching circuits.I -550mAD The SSM1333GU is supplied in an RoHS-compliantPb-f

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