Справочник MOSFET. SSM1333GU

 

SSM1333GU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM1333GU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
 

 Аналог (замена) для SSM1333GU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM1333GU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:534K  silicon standard
 ssm1333gu.pdf pdf_icon

SSM1333GU

SSM1333GUP-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM1333GU acheives fast switching performanceBVDSS -20Vwith low gate charge without a complex drive circuit. ItRDS(ON) 600mis suitable for low voltage applications such as drivers,high-side line and general load-switching circuits.I -550mAD The SSM1333GU is supplied in an RoHS-compliantPb-f

Другие MOSFET... SSM03N70GJ , SSM03N70GP-H , SSM04N70BGF-A , SSM04N70BGF-H , SSM04N70BGP-A , SSM09N70GP-A , SSM09N90CGW , SSM09N90GW , AO4407 , SSM2030GM , SSM2030SD , SSM20N03S , SSM20P02GH , SSM20P02GJ , SSM2301GN , SSM2302GN , SSM2303GN .

 

 
Back to Top

 


 
.