SSM1333GU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM1333GU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM1333GU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM1333GU даташит

 ..1. Size:534K  silicon standard
 ssm1333gu.pdf pdf_icon

SSM1333GU

SSM1333GU P-channel Enhancement-mode Power MOSFET PRODUCT SUMMARY DESCRIPTION The SSM1333GU acheives fast switching performance BVDSS -20V with low gate charge without a complex drive circuit. It RDS(ON) 600m is suitable for low voltage applications such as drivers, high-side line and general load-switching circuits. I -550mA D The SSM1333GU is supplied in an RoHS-compliant Pb-f

Другие IGBT... SSM03N70GJ, SSM03N70GP-H, SSM04N70BGF-A, SSM04N70BGF-H, SSM04N70BGP-A, SSM09N70GP-A, SSM09N90CGW, SSM09N90GW, IRF530, SSM2030GM, SSM2030SD, SSM20N03S, SSM20P02GH, SSM20P02GJ, SSM2301GN, SSM2302GN, SSM2303GN