SSM25T03GJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM25T03GJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO-251

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SSM25T03GJ datasheet

 ..1. Size:744K  silicon standard
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SSM25T03GJ

SSM25T03GH,J N-channel Enhancement-mode Power MOSFET PRODUCT SUMMARY DESCRIPTION The SSM25T03 acheives fast switching performance BVDSS 30V with low gate charge without a complex drive circuit. It is RDS(ON) 35m suitable for low voltage applications such as DC/DC converters and general load-switching circuits. I 20A D The SSM25T03GH is in a TO-252 package, which is Pb-free; RoHS

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