SSM25T03GJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM25T03GJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

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SSM25T03GJ Datasheet (PDF)

..1. Size:744K silicon standard
ssm25t03gh ssm25t03gj.pdf

SSM25T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM25T03 acheives fast switching performanceBVDSS 30Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 35msuitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 20AD The SSM25T03GH is in a TO-252 package, which isPb-free; RoHS

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