Справочник MOSFET. SSM25T03GJ

 

SSM25T03GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM25T03GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для SSM25T03GJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM25T03GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:744K  silicon standard
 ssm25t03gh ssm25t03gj.pdf pdf_icon

SSM25T03GJ

SSM25T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM25T03 acheives fast switching performanceBVDSS 30Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 35msuitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 20AD The SSM25T03GH is in a TO-252 package, which isPb-free; RoHS

Другие MOSFET... SSM2309GN , SSM2310GN , SSM2312GN , SSM2313GN , SSM2314GN , SSM2316GN , SSM2318GEN , SSM25T03GH , AON6380 , SSM2602GY , SSM2602Y , SSM2603GY , SSM2603Y , SSM2605GY , SSM2761P-A , SSM3310GH , SSM3310GJ .

History: HMS11N60

 

 
Back to Top

 


 
.