SSM25T03GJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM25T03GJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM25T03GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM25T03GJ даташит

 ..1. Size:744K  silicon standard
 ssm25t03gh ssm25t03gj.pdf pdf_icon

SSM25T03GJ

SSM25T03GH,J N-channel Enhancement-mode Power MOSFET PRODUCT SUMMARY DESCRIPTION The SSM25T03 acheives fast switching performance BVDSS 30V with low gate charge without a complex drive circuit. It is RDS(ON) 35m suitable for low voltage applications such as DC/DC converters and general load-switching circuits. I 20A D The SSM25T03GH is in a TO-252 package, which is Pb-free; RoHS

Другие IGBT... SSM2309GN, SSM2310GN, SSM2312GN, SSM2313GN, SSM2314GN, SSM2316GN, SSM2318GEN, SSM25T03GH, IRFZ24N, SSM2602GY, SSM2602Y, SSM2603GY, SSM2603Y, SSM2605GY, SSM2761P-A, SSM3310GH, SSM3310GJ