SSM2761P-A Todos los transistores

 

SSM2761P-A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM2761P-A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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SSM2761P-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  silicon standard
 ssm2761p-a.pdf pdf_icon

SSM2761P-A

SSM2761P-AN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DBVDSS 650VLower On-resistance Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1Simple Drive Requirement ID 10AGRoHS Compliant SDESCRIPTION The TO-220 package is universally preferred for all commercial- industrial applications. The device is suited for DC-DC ,AC-DC converters for power applications. G

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History: AP30T10GI | AP4501AGEM-HF | GP2M007A065XG | AP6N1R7CDT | SPI21N50C3 | CS6N100F | VP3203N3

 

 
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