SSM2761P-A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSM2761P-A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de SSM2761P-A MOSFET
SSM2761P-A Datasheet (PDF)
ssm2761p-a.pdf

SSM2761P-AN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DBVDSS 650VLower On-resistance Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1Simple Drive Requirement ID 10AGRoHS Compliant SDESCRIPTION The TO-220 package is universally preferred for all commercial- industrial applications. The device is suited for DC-DC ,AC-DC converters for power applications. G
Otros transistores... SSM2318GEN , SSM25T03GH , SSM25T03GJ , SSM2602GY , SSM2602Y , SSM2603GY , SSM2603Y , SSM2605GY , IRF730 , SSM3310GH , SSM3310GJ , SSM3J331R , SSM3J338R , SSM3K2615R , SSM3K318R , SSM3K324R , SSM3K335R .
History: AP6N1R7CDT | SSM09N70GP-A | RU20T7G | SST440 | PKCE9BB | IRFP460NPBF | NCEP048N85
History: AP6N1R7CDT | SSM09N70GP-A | RU20T7G | SST440 | PKCE9BB | IRFP460NPBF | NCEP048N85



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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