Справочник MOSFET. SSM2761P-A

 

SSM2761P-A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM2761P-A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для SSM2761P-A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM2761P-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  silicon standard
 ssm2761p-a.pdf pdf_icon

SSM2761P-A

SSM2761P-AN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DBVDSS 650VLower On-resistance Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1Simple Drive Requirement ID 10AGRoHS Compliant SDESCRIPTION The TO-220 package is universally preferred for all commercial- industrial applications. The device is suited for DC-DC ,AC-DC converters for power applications. G

Другие MOSFET... SSM2318GEN , SSM25T03GH , SSM25T03GJ , SSM2602GY , SSM2602Y , SSM2603GY , SSM2603Y , SSM2605GY , IRF730 , SSM3310GH , SSM3310GJ , SSM3J331R , SSM3J338R , SSM3K2615R , SSM3K318R , SSM3K324R , SSM3K335R .

History: NTB18N06G | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.