SSM2761P-A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM2761P-A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM2761P-A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM2761P-A даташит

 ..1. Size:164K  silicon standard
 ssm2761p-a.pdf pdf_icon

SSM2761P-A

SSM2761P-A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY D BVDSS 650V Lower On-resistance Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1 Simple Drive Requirement ID 10A G RoHS Compliant S DESCRIPTION The TO-220 package is universally preferred for all commercial- industrial applications. The device is suited for DC-DC ,AC-DC converters for power applications. G

Другие IGBT... SSM2318GEN, SSM25T03GH, SSM25T03GJ, SSM2602GY, SSM2602Y, SSM2603GY, SSM2603Y, SSM2605GY, IRFB31N20D, SSM3310GH, SSM3310GJ, SSM3J331R, SSM3J338R, SSM3K2615R, SSM3K318R, SSM3K324R, SSM3K335R