Справочник MOSFET. SSM2761P-A

 

SSM2761P-A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM2761P-A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM2761P-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  silicon standard
 ssm2761p-a.pdf pdf_icon

SSM2761P-A

SSM2761P-AN-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOSFET PRODUCT SUMMARY DBVDSS 650VLower On-resistance Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1Simple Drive Requirement ID 10AGRoHS Compliant SDESCRIPTION The TO-220 package is universally preferred for all commercial- industrial applications. The device is suited for DC-DC ,AC-DC converters for power applications. G

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFHM9331PBF | IXTT360N055T2 | WMK18N50C4 | PTD4N60 | BRCS070N08SRA | RU1H130S | KRF7401

 

 
Back to Top

 


 
.