SSM3310GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM3310GH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 25 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 6 nC
   Tiempo de subida (tr): 60 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM3310GH

SSM3310GH Datasheet (PDF)

..1. Size:421K silicon standard
ssm3310gh ssm3310gj.pdf

SSM3310GH,JP-channel Enhancement-mode Power MOSFET2.5V low gate drive capability BV -20VDSSDSimple drive requirement R 150mDS(ON)Fast switching ID -10AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM3310GH is in a TO-252 package, which is widely used for DSTO-252 (H)commercial and industrial surface mount applications, and is well suitedfor use in low voltage b

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Liste

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