SSM3310GH Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM3310GH  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SSM3310GH datasheet

 ..1. Size:421K  silicon standard
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SSM3310GH

SSM3310GH,J P-channel Enhancement-mode Power MOSFET 2.5V low gate drive capability BV -20V DSS D Simple drive requirement R 150m DS(ON) Fast switching ID -10A G Pb-free; RoHS compliant. S DESCRIPTION G The SSM3310GH is in a TO-252 package, which is widely used for D S TO-252 (H) commercial and industrial surface mount applications, and is well suited for use in low voltage b

Otros transistores... SSM25T03GH, SSM25T03GJ, SSM2602GY, SSM2602Y, SSM2603GY, SSM2603Y, SSM2605GY, SSM2761P-A, STP65NF06, SSM3310GJ, SSM3J331R, SSM3J338R, SSM3K2615R, SSM3K318R, SSM3K324R, SSM3K335R, SSM3K336R