Справочник MOSFET. SSM3310GH

 

SSM3310GH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSM3310GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SSM3310GH

 

 

SSM3310GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  silicon standard
 ssm3310gh ssm3310gj.pdf

SSM3310GH SSM3310GH

SSM3310GH,JP-channel Enhancement-mode Power MOSFET2.5V low gate drive capability BV -20VDSSDSimple drive requirement R 150mDS(ON)Fast switching ID -10AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM3310GH is in a TO-252 package, which is widely used for DSTO-252 (H)commercial and industrial surface mount applications, and is well suitedfor use in low voltage b

Другие MOSFET... SSM25T03GH , SSM25T03GJ , SSM2602GY , SSM2602Y , SSM2603GY , SSM2603Y , SSM2605GY , SSM2761P-A , IRF1405 , SSM3310GJ , SSM3J331R , SSM3J338R , SSM3K2615R , SSM3K318R , SSM3K324R , SSM3K335R , SSM3K336R .

 

 
Back to Top