SSM3310GJ Todos los transistores

 

SSM3310GJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM3310GJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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SSM3310GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  silicon standard
 ssm3310gh ssm3310gj.pdf pdf_icon

SSM3310GJ

SSM3310GH,JP-channel Enhancement-mode Power MOSFET2.5V low gate drive capability BV -20VDSSDSimple drive requirement R 150mDS(ON)Fast switching ID -10AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM3310GH is in a TO-252 package, which is widely used for DSTO-252 (H)commercial and industrial surface mount applications, and is well suitedfor use in low voltage b

Otros transistores... SSM25T03GJ , SSM2602GY , SSM2602Y , SSM2603GY , SSM2603Y , SSM2605GY , SSM2761P-A , SSM3310GH , NCEP15T14 , SSM3J331R , SSM3J338R , SSM3K2615R , SSM3K318R , SSM3K324R , SSM3K335R , SSM3K336R , SSM3K337R .

History: STL260N3LLH6 | VBZFB70N03 | APQ110SN5EA | 36N06 | BRCS250N10SDP | AUIRFR2307ZTR | P8010BD

 

 
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