Справочник MOSFET. SSM3310GJ

 

SSM3310GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM3310GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для SSM3310GJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3310GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  silicon standard
 ssm3310gh ssm3310gj.pdf pdf_icon

SSM3310GJ

SSM3310GH,JP-channel Enhancement-mode Power MOSFET2.5V low gate drive capability BV -20VDSSDSimple drive requirement R 150mDS(ON)Fast switching ID -10AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM3310GH is in a TO-252 package, which is widely used for DSTO-252 (H)commercial and industrial surface mount applications, and is well suitedfor use in low voltage b

Другие MOSFET... SSM25T03GJ , SSM2602GY , SSM2602Y , SSM2603GY , SSM2603Y , SSM2605GY , SSM2761P-A , SSM3310GH , NCEP15T14 , SSM3J331R , SSM3J338R , SSM3K2615R , SSM3K318R , SSM3K324R , SSM3K335R , SSM3K336R , SSM3K337R .

History: NCE60N1K0R | AOI600A60 | FDMA86108LZ | 5N65G-TN3-R | SSM5N16FE | IPB60R160C6

 

 
Back to Top

 


 
.