SSM3310GJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM3310GJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM3310GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3310GJ даташит

 ..1. Size:421K  silicon standard
 ssm3310gh ssm3310gj.pdf pdf_icon

SSM3310GJ

SSM3310GH,J P-channel Enhancement-mode Power MOSFET 2.5V low gate drive capability BV -20V DSS D Simple drive requirement R 150m DS(ON) Fast switching ID -10A G Pb-free; RoHS compliant. S DESCRIPTION G The SSM3310GH is in a TO-252 package, which is widely used for D S TO-252 (H) commercial and industrial surface mount applications, and is well suited for use in low voltage b

Другие IGBT... SSM25T03GJ, SSM2602GY, SSM2602Y, SSM2603GY, SSM2603Y, SSM2605GY, SSM2761P-A, SSM3310GH, IRF1405, SSM3J331R, SSM3J338R, SSM3K2615R, SSM3K318R, SSM3K324R, SSM3K335R, SSM3K336R, SSM3K337R