SSM3310GJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM3310GJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6 nC
Время нарастания (tr): 60 ns
Выходная емкость (Cd): 180 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO-251
SSM3310GJ Datasheet (PDF)
..1. Size:421K silicon standard
ssm3310gh ssm3310gj.pdf
ssm3310gh ssm3310gj.pdf
SSM3310GH,JP-channel Enhancement-mode Power MOSFET2.5V low gate drive capability BV -20VDSSDSimple drive requirement R 150mDS(ON)Fast switching ID -10AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM3310GH is in a TO-252 package, which is widely used for DSTO-252 (H)commercial and industrial surface mount applications, and is well suitedfor use in low voltage b
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
