SSM4502GM Todos los transistores

 

SSM4502GM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM4502GM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SSM4502GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  silicon standard
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SSM4502GM

SSM4502GMN AND P-CHANNEL ENHANCEMENTMODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY D2 N-CH BVDSS 20VD2Simple Drive Requirement D1 RDS(ON) 18mD1Low Gate ChargeID 8.3AFast Switching Performance G2S2P-CH BVDSS -20VG1S1SO-8RDS(ON) 45mDESCRIPTION ID -5AThe advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switchin

 8.1. Size:209K  silicon standard
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SSM4502GM

SSM4500GMN AND P-CHANNEL ENHANCEMENTMODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY N-CH BVDSS 20VD2D2Simple Drive Requirement RDS(ON) 30mD1D1Low On-resistance ID 6AFast SwitchingG2P-CH BVDSS -20VS2G1SO-8S1RDS(ON) 50mDESCRIPTION ID -5AThe advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching, rug

 8.2. Size:293K  silicon standard
 ssm4501gm.pdf pdf_icon

SSM4502GM

SSM4501GMN AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY N-CH BVDSS 30VD2Simple Drive Requirement D2RDS(ON) 28mD1Low On-resistance D1ID 7AFast Switching G2P-CH BVDSS -30VS2G1SO-8RDS(ON) 50mS1DESCRIPTION ID -5.3AThe advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching,

 8.3. Size:249K  silicon standard
 ssm4501gsd.pdf pdf_icon

SSM4502GM

SSM4501GSDN AND P-CHANNEL ENHANCEMENTMODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY N-CH BVDSS 30VD2D2D1RDS(ON) 27mSimple Drive Requirement D1Low On-resistance ID 7AFast Switching Characteristic P-CH BVDSS -30VG2S2RDS(ON) 49mPDIP-8G1S1DESCRIPTION ID -5AThe advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of

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