SSM4502GM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM4502GM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM4502GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM4502GM даташит

 ..1. Size:305K  silicon standard
 ssm4502gm.pdf pdf_icon

SSM4502GM

SSM4502GM N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY D2 N-CH BVDSS 20V D2 Simple Drive Requirement D1 RDS(ON) 18m D1 Low Gate Charge ID 8.3A Fast Switching Performance G2 S2 P-CH BVDSS -20V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 45m DESCRIPTION ID -5A The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switchin

 8.1. Size:209K  silicon standard
 ssm4500gm.pdf pdf_icon

SSM4502GM

SSM4500GM N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY N-CH BVDSS 20V D2 D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 30m D1 D1 Low On-resistance ID 6A Fast Switching G2 P-CH BVDSS -20V S2 G1 SO-8 S1 RDS(ON) 50m DESCRIPTION ID -5A The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching, rug

 8.2. Size:293K  silicon standard
 ssm4501gm.pdf pdf_icon

SSM4502GM

SSM4501GM N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY N-CH BVDSS 30V D2 Simple Drive Requirement D2 RDS(ON) 28m D1 Low On-resistance D1 ID 7A Fast Switching G2 P-CH BVDSS -30V S2 G1 SO-8 RDS(ON) 50m S1 DESCRIPTION ID -5.3A The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching,

 8.3. Size:249K  silicon standard
 ssm4501gsd.pdf pdf_icon

SSM4502GM

SSM4501GSD N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY N-CH BVDSS 30V D2 D2 D1 RDS(ON) 27m Simple Drive Requirement D1 Low On-resistance ID 7A Fast Switching Characteristic P-CH BVDSS -30V G2 S2 RDS(ON) 49m PDIP-8 G1 S1 DESCRIPTION ID -5A The advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM4410M, SSM4423GM, SSM4424GM, SSM4426GM, SSM4435M, SSM4500GM, SSM4501GM, SSM4501GSD, IRFB4227, SSM4507GM, SSM4509M, SSM4513M, SSM4532GM, SSM4565M, SSM4575M, SSM4800AGM, SSM4816SM