Справочник MOSFET. SSM4502GM

 

SSM4502GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM4502GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM4502GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  silicon standard
 ssm4502gm.pdf pdf_icon

SSM4502GM

SSM4502GMN AND P-CHANNEL ENHANCEMENTMODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY D2 N-CH BVDSS 20VD2Simple Drive Requirement D1 RDS(ON) 18mD1Low Gate ChargeID 8.3AFast Switching Performance G2S2P-CH BVDSS -20VG1S1SO-8RDS(ON) 45mDESCRIPTION ID -5AThe advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switchin

 8.1. Size:209K  silicon standard
 ssm4500gm.pdf pdf_icon

SSM4502GM

SSM4500GMN AND P-CHANNEL ENHANCEMENTMODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY N-CH BVDSS 20VD2D2Simple Drive Requirement RDS(ON) 30mD1D1Low On-resistance ID 6AFast SwitchingG2P-CH BVDSS -20VS2G1SO-8S1RDS(ON) 50mDESCRIPTION ID -5AThe advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching, rug

 8.2. Size:293K  silicon standard
 ssm4501gm.pdf pdf_icon

SSM4502GM

SSM4501GMN AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY N-CH BVDSS 30VD2Simple Drive Requirement D2RDS(ON) 28mD1Low On-resistance D1ID 7AFast Switching G2P-CH BVDSS -30VS2G1SO-8RDS(ON) 50mS1DESCRIPTION ID -5.3AThe advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of fast switching,

 8.3. Size:249K  silicon standard
 ssm4501gsd.pdf pdf_icon

SSM4502GM

SSM4501GSDN AND P-CHANNEL ENHANCEMENTMODE POWER MOSFET PRODUCT SUMMARY N-CH BVDSS 30VD2D2D1RDS(ON) 27mSimple Drive Requirement D1Low On-resistance ID 7AFast Switching Characteristic P-CH BVDSS -30VG2S2RDS(ON) 49mPDIP-8G1S1DESCRIPTION ID -5AThe advanced power MOSFETs from Silicon Standard Corp. provide the designer with the best combination of

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSM4410M , SSM4423GM , SSM4424GM , SSM4426GM , SSM4435M , SSM4500GM , SSM4501GM , SSM4501GSD , IRFB4110 , SSM4507GM , SSM4509M , SSM4513M , SSM4532GM , SSM4565M , SSM4575M , SSM4800AGM , SSM4816SM .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.