IRLMS1902 Todos los transistores

 

IRLMS1902 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLMS1902
   Código: 2A*_A*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.7(min) V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICRO6
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRLMS1902 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  international rectifier
 irlms1902.pdf pdf_icon

IRLMS1902

PD - 9.1540BIRLMS1902HEXFET Power MOSFET Generation V Technology Micro6 Package StyleVDSS = 20V Ultra Low Rds(on) N-Channel MOSFETRDS(on) = 0.10DescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefit, combined with the fast switching speed andrugged

 0.1. Size:191K  international rectifier
 irlms1902trpbf.pdf pdf_icon

IRLMS1902

PD - 95359IRLMS1902PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = 20Vl Ultra Low RDS(on)25DDl N-Channel MOSFETl Lead-Free3 4G SRDS(on) = 0.10DescriptionTop ViewFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance per

 0.2. Size:184K  international rectifier
 irlms1902tr.pdf pdf_icon

IRLMS1902

PD - 91540CIRLMS1902HEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = 20Vl Ultra Low RDS(on)25DDl N-Channel MOSFET3 4G SRDS(on) = 0.10DescriptionTop ViewFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance persilicon area. T

 8.1. Size:150K  international rectifier
 irlms1503pbf.pdf pdf_icon

IRLMS1902

PD - 95762IRLMS1503PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = 30Vl Ultra Low RDS(on)25DDl N-Channel MOSFETl Lead-Free3 4G SRDS(on) = 0.10DescriptionTop ViewFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistanceper

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History: AFN6530S | FQPF3N80 | FQPF3N80CYDTU

 

 
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