IRLMS1902 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLMS1902
Маркировка: 2A*_A*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.7(min) V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.7 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: MICRO6
IRLMS1902 Datasheet (PDF)
irlms1902.pdf
PD - 9.1540BIRLMS1902HEXFET Power MOSFET Generation V Technology Micro6 Package StyleVDSS = 20V Ultra Low Rds(on) N-Channel MOSFETRDS(on) = 0.10DescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefit, combined with the fast switching speed andrugged
irlms1902trpbf.pdf
PD - 95359IRLMS1902PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = 20Vl Ultra Low RDS(on)25DDl N-Channel MOSFETl Lead-Free3 4G SRDS(on) = 0.10DescriptionTop ViewFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance per
irlms1902tr.pdf
PD - 91540CIRLMS1902HEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = 20Vl Ultra Low RDS(on)25DDl N-Channel MOSFET3 4G SRDS(on) = 0.10DescriptionTop ViewFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance persilicon area. T
irlms1503pbf.pdf
PD - 95762IRLMS1503PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = 30Vl Ultra Low RDS(on)25DDl N-Channel MOSFETl Lead-Free3 4G SRDS(on) = 0.10DescriptionTop ViewFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistanceper
irlms1503.pdf
PD - 9.1508CIRLMS1503HEXFET Power MOSFET Generation V Technology Micro6 Package StyleVDSS = 30V Ultra Low Rds(on) N-Channel MOSFETRDS(on) = 0.10DescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefit, combined with the fast switching speed andrugged
irlms1503pbf-1.pdf
IRLMS1503PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VA1 6D DRDS(on) max 0.10(@V = 10V)GS25DDRDS(on) max 0.20(@V = 4.5V)GS3 4G SQg (typical) 6.4 nCMicro6ID Top View3.2 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout Micro-6 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
