IRLMS1902. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRLMS1902
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: MICRO6
Аналог (замена) для IRLMS1902
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRLMS1902 даташит
irlms1902.pdf
PD - 9.1540B IRLMS1902 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology Micro6 Package Style VDSS = 20V Ultra Low Rds(on) N-Channel MOSFET RDS(on) = 0.10 Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and rugged
irlms1902trpbf.pdf
PD - 95359 IRLMS1902PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology A 1 6 D D l Micro6 Package Style VDSS = 20V l Ultra Low RDS(on) 2 5 D D l N-Channel MOSFET l Lead-Free 3 4 G S RDS(on) = 0.10 Description Top View Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per
irlms1902tr.pdf
PD - 91540C IRLMS1902 HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology A 1 6 D D l Micro6 Package Style VDSS = 20V l Ultra Low RDS(on) 2 5 D D l N-Channel MOSFET 3 4 G S RDS(on) = 0.10 Description Top View Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. T
irlms1503pbf.pdf
PD - 95762 IRLMS1503PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology A 1 6 D D l Micro6 Package Style VDSS = 30V l Ultra Low RDS(on) 2 5 D D l N-Channel MOSFET l Lead-Free 3 4 G S RDS(on) = 0.10 Description Top View Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per
Другие MOSFET... IRLML2402 , IRLML2502 , IRLML2803 , IRLML5103 , IRLML6302 , IRLML6401 , IRLML6402 , IRLMS1503 , 5N65 , IRLMS2002 , IRLMS4502 , IRLMS5703 , IRLMS6702 , IRLMS6802 , IRLR010 , IRLR014 , IRLR014A .
History: IRFU9022
History: IRFU9022
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASA60R150E | ASA60R090EFDA | ASA60R090EFD | ASA50R130E | ADW120N080G2 | ADQ120N080G2 | ADG120N080G2 | AS6004 | 2N7002EY | AS2310A | 2N7002KM | 2N7002KH | AON5802 | AOSS62934 | AOSN21319C | AONS66966
Popular searches
2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt






