IRF9Z14PBF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF9Z14PBF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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IRF9Z14PBF datasheet

 ..1. Size:251K  international rectifier
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IRF9Z14PBF

PD - 95628 IRF9Z14PbF Lead-Free 8/3/04 Document Number 91088 www.vishay.com 1 IRF9Z14PbF Document Number 91088 www.vishay.com 2 IRF9Z14PbF Document Number 91088 www.vishay.com 3 IRF9Z14PbF Document Number 91088 www.vishay.com 4 IRF9Z14PbF Document Number 91088 www.vishay.com 5 IRF9Z14PbF Document Number 91088 www.vishay.com 6 IRF9Z14PbF Peak Diode Recovery

 ..2. Size:129K  vishay
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IRF9Z14PBF

IRF9Z14, SiHF9Z14 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 RoHS* P-Channel COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 12 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.8 Fast Switching Qgd (nC) 5.1 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requir

 ..3. Size:1813K  cn vbsemi
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IRF9Z14PBF

IRF9Z14PBF www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) ( ) TrenchFET Power MOSFET ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.062 at VGS = - 10 V - 20 - 60 12.5 0.074 at VGS = - 4.5 V - 15 APPLICATIONS Load Switch S TO-220AB G D G D S Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter

 7.1. Size:361K  international rectifier
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IRF9Z14PBF

PD - 9.911A IRF9Z14S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF9Z14S) VDSS = -60V Low-profile through-hole (IRF9Z14L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.50 Fast Switching G P- Channel ID = -6.7A Fully Avalanche Rated S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achiev

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