Справочник MOSFET. IRF9Z14PBF

 

IRF9Z14PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9Z14PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9Z14PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  international rectifier
 irf9z14pbf.pdf pdf_icon

IRF9Z14PBF

PD - 95628IRF9Z14PbF Lead-Free8/3/04Document Number: 91088 www.vishay.com1IRF9Z14PbFDocument Number: 91088 www.vishay.com2IRF9Z14PbFDocument Number: 91088 www.vishay.com3IRF9Z14PbFDocument Number: 91088 www.vishay.com4IRF9Z14PbFDocument Number: 91088 www.vishay.com5IRF9Z14PbFDocument Number: 91088 www.vishay.com6IRF9Z14PbFPeak Diode Recovery

 ..2. Size:129K  vishay
 irf9z14pbf sihf9z14.pdf pdf_icon

IRF9Z14PBF

IRF9Z14, SiHF9Z14Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8 Fast SwitchingQgd (nC) 5.1 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requir

 ..3. Size:1813K  cn vbsemi
 irf9z14pbf.pdf pdf_icon

IRF9Z14PBF

IRF9Z14PBFwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () TrenchFET Power MOSFETID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.062 at VGS = - 10 V - 20- 60 12.50.074 at VGS = - 4.5 V - 15 APPLICATIONS Load SwitchSTO-220ABGDG D STop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter

 7.1. Size:361K  international rectifier
 irf9z14s.pdf pdf_icon

IRF9Z14PBF

PD - 9.911AIRF9Z14S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF9Z14S)VDSS = -60V Low-profile through-hole (IRF9Z14L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.50 Fast SwitchingG P- ChannelID = -6.7A Fully Avalanche RatedSDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achiev

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXTT96N15P | STM9435 | FQT3P20 | IRFI540GPBF | APT5020SVFR | MTD2955VT4 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.