IRF9Z14PBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF9Z14PBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF9Z14PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9Z14PBF даташит

 ..1. Size:251K  international rectifier
 irf9z14pbf.pdf pdf_icon

IRF9Z14PBF

PD - 95628 IRF9Z14PbF Lead-Free 8/3/04 Document Number 91088 www.vishay.com 1 IRF9Z14PbF Document Number 91088 www.vishay.com 2 IRF9Z14PbF Document Number 91088 www.vishay.com 3 IRF9Z14PbF Document Number 91088 www.vishay.com 4 IRF9Z14PbF Document Number 91088 www.vishay.com 5 IRF9Z14PbF Document Number 91088 www.vishay.com 6 IRF9Z14PbF Peak Diode Recovery

 ..2. Size:129K  vishay
 irf9z14pbf sihf9z14.pdf pdf_icon

IRF9Z14PBF

IRF9Z14, SiHF9Z14 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 RoHS* P-Channel COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 12 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.8 Fast Switching Qgd (nC) 5.1 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requir

 ..3. Size:1813K  cn vbsemi
 irf9z14pbf.pdf pdf_icon

IRF9Z14PBF

IRF9Z14PBF www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) ( ) TrenchFET Power MOSFET ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.062 at VGS = - 10 V - 20 - 60 12.5 0.074 at VGS = - 4.5 V - 15 APPLICATIONS Load Switch S TO-220AB G D G D S Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter

 7.1. Size:361K  international rectifier
 irf9z14s.pdf pdf_icon

IRF9Z14PBF

PD - 9.911A IRF9Z14S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF9Z14S) VDSS = -60V Low-profile through-hole (IRF9Z14L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.50 Fast Switching G P- Channel ID = -6.7A Fully Avalanche Rated S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achiev

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF9640LPBF, IRF9640PBF, IRF9640SPBF, IRF9910PBF-1, IRF9952QPBF, IRF9Z10PBF, IRF9Z14L, IRF9Z14LPBF, IRF1407, IRF9Z14SPBF, IRF9Z20PBF, IRF9Z24L, IRF9Z24NLPBF, IRF9Z24NPBF, IRF9Z24NSPBF, IRF9Z24PBF, IRF9Z24SPBF