SSM630GP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM630GP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO-220

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SSM630GP datasheet

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SSM630GP

SSM630GP N-channel Enhancement-mode Power MOSFET PRODUCT SUMMARY DESCRIPTION The SSM630GP achieves fast switching performance BVDSS 200V with low gate charge without a complex drive circuit. It is RDS(ON) 400m suitable for low voltage applications such as DC/DC converters and general load-switching circuits. I 9A D Pb-free; RoHS-compliant TO-220 The SSM630GP is in TO-220 for thr

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