SSM630GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM630GP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 74 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 25 nC
   Tiempo de subida (tr): 26 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM630GP

SSM630GP Datasheet (PDF)

..1. Size:623K silicon standard
ssm630gp.pdf

SSM630GPN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM630GP achieves fast switching performanceBVDSS 200Vwith low gate charge without a complex drive circuit. It isRDS(ON) 400msuitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 9AD Pb-free; RoHS-compliant TO-220The SSM630GP is in TO-220 for thr

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